[新聞] 索尼開發超高速ReRAM，旨在取代NAND快閃記憶體

作者: shrines (sim) 看板: Gossiping
標題: [新聞] 索尼開發超高速ReRAM，旨在取代NAND快閃記憶體
時間: Fri Mar 25 11:59:51 2011


日文原文：ソニーが超高速ReRAMを開、NANDフラッシュ代替を狙う

翻譯來源：

http://big5.nikkeibp.com.cn/news/semi/55671-20110317.html?start=1

重點摘錄：
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　　「希望能在2～3年內確立Gbit級ReRAM（可變電阻式記憶體）的量產技術」（索尼消
費者產品＆元件集團半導體業務本部半導體技術開發部門元件技術部統括部長長島直樹）
。

　　索尼開始全面出擊半導體存儲用新型記憶體的開發。這種新型記憶體就是性能遠遠高
於NAND快閃記憶體的ReRAM。此次，索尼試製出了0.18μm工藝的4Mbit產品，並確認了所
有bit的動作。試製晶片的寫入速度為216MB/秒，讀取速度為2.3GB/秒，均為NAND快閃記
憶體的10倍（圖1）。

　　此前ReRAM的開發「僅限于小規模陣列的動作驗證」（索尼核心元件開發本部記憶體
業務開發部門固體記憶體開發部統括部長林和彥）。從晶片級別的層面證實能夠超過現有
記憶體，這還是首次。

　　索尼今後計劃將儲存容量提高至Gbit級，「首先將瞄準能夠發揮ReRAM高速性的用途
」（長島）。除了[1;33;40m取代便攜終端用NOR快閃記憶體和NAND快閃記憶體外，還將用於縮短
NAND快閃記憶體與DRAM之間的性能差的快取等用途。將來計劃取代大容量NAND快閃記憶體
。[m

驗證可達到10nm製程的微細化

　　ReRAM除寫入和讀取性能以外的其他特性也都在NAND快閃記憶體之上。擦寫次數為10^6
次，「今後可輕鬆實現10^8次」（林）。數據保存時間方面，在55℃環境下可保存10年。

　　索尼已經開始著手評測ReRAM的量產性（圖2）。在200mm晶圓上集成此次的晶片，實
現了67％的成品率。另外，關於各晶片上的存儲元件的電阻比，已經確認餘料最小的元件
也可獲得將近10的值。該公司打算今後進一步擴大餘料，將容量增至Gbit級。

　　索尼計劃從最初量產ReRAM時開始，就採用接近最尖端工藝的微細加工技術。為此，
「已經確認10nm製程存儲元件能夠正常動作」（長島）。[1;33;40m量產業務將委託給外部企業。（
記者：大下 淳一）[m

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代工廠九成是台企

目前NAND世界第一的三星表示：


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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 111.250.44.236
[1;37m推 [33msukeda[m[33m:請皇上立即下令 [m 03/25 12:00
[1;37m推 [33mflamer[m[33m:..... [m 03/25 12:00
[1;31m→ [33mhoward6101[m[33m:這間還沒倒阿= = [m 03/25 12:01
[1;37m推 [33mmagisterMAGI[m[33m:索尼罪大滔天 搞得百姓怨聲載道 [m 03/25 12:02
※ 編輯: shrines 來自: 111.250.44.236 (03/25 12:02)
[1;31m→ [33mGsJames[m[33m:索尼罪大滔天 弄得百姓怨深載道 [m 03/25 12:02
[1;37m推 [33maaa8852955[m[33m:索尼罪大滔天 [m 03/25 12:02
[1;37m推 [33mringballer[m[33m:支持sony幹掉三星 [m 03/25 12:02
[1;37m推 [33msheepxo[m[33m:擦寫次數為106次? 會不會太少? [m 03/25 12:02
[1;31m噓 [33mking12272[m[33m:還沒研發出來就先倒了 科科 [m 03/25 12:03

已經研發出來
而且很快就能大量量產
原文內原理都有解釋跟圖說
只是太長所以我沒貼
※ 編輯: shrines 來自: 111.250.44.236 (03/25 12:04)
[1;31m噓 [33mRyutaro0124[m[33m:純噓樓上 倒不倒甘你屁事 你又貢獻什麼了落井下石最會 [m 03/25 12:03
[1;37m推 [33mmomo0723[m[33m:三星要哭哭了 [m 03/25 12:03
[1;31m→ [33mking12272[m[33m:純噓樓上 你又貢獻什麼了落井下石最會 [m 03/25 12:03
[1;31m→ [33mlinfon00[m[33m:不得不佩服sony...老想走在尖端...都不怕的 [m 03/25 12:03
[1;37m推 [33mkizajan[m[33m:耶 尻爆三星 [m 03/25 12:04
[1;31m→ [33mbitlife[m[33m:106->10E6, 108->10E8 [m 03/25 12:04
[1;37m推 [33mOochunoO[m[33m:三星：ReRAM是韓國人發明的 索尼侵害我們專利權 [m 03/25 12:05
[1;37m推 [33mRuinAngel[m[33m:研發出來跟量產不一定會被市場接受啊囧... [m 03/25 12:06
[1;31m噓 [33mking12272[m[33m:很快量產是指五年嗎 QQ [m 03/25 12:06

科技業研發不是幾個月的事情
文章中也沒寫到5年
當台積電跟三星和G牌在去年正式交鋒
也是預估2014年才能分出勝負
以一個全新的技術要挑戰該領域世界第一的霸主
算非常快了
現在是三星要追sony
想必研發經費要花得更多

[1;37m推 [33mmecca[m[33m:台灣:代工，我們準備好了!!!!!! [m 03/25 12:06
[1;31m→ [33mlinfon00[m[33m:當初的紙片 儲存媒體..也是只聞聲響 [m 03/25 12:07
[1;37m推 [33mjerrylin[m[33m:只要夠便宜夠好用 市場就會用了 [m 03/25 12:07
[1;37m推 [33mtk1211[m[33m:推 ringballer:支持Sony幹掉三星 台灣沒機會 索尼來也好 [m 03/25 12:07
[1;37m推 [33mwezsystem[m[33m:Sony:先求賺錢再求幹掉同業 [m 03/25 12:09
[1;37m推 [33mLucAngel[m[33m:不過擦寫次數只有106次，會不會太少了點 [m 03/25 12:10
※ [1;32mhtmin[0;32m:轉錄至看板 Stock[m 03/25 12:15
[1;31m→ [33mcyp001[m[33m:跌到4G 599我就買 [m 03/25 12:19

嗯...其實NAND快閃記憶體跟DRAM是不同的東西...
※ 編輯: shrines 來自: 111.250.44.236 (03/25 12:32)
[1;31m→ [33mrogergon[m[33m:應該是十的六次方次才合理吧，什麼106次... XD [m 03/25 12:35

感謝提醒
為避免誤導鄉民
已加註符號

[1;37m推 [33mcherman[m[33m:台廠一直都不長進的代工著…新鮮的肝準備好了嗎 [m 03/25 12:43
[1;37m推 [33msilver2012[m[33m:有些酸民平常都不知道在幹什嘛 道三說四最會 [m 03/25 12:45
※ 編輯: shrines 來自: 111.250.44.236 (03/25 12:48)